企业新闻

碳化硅泡沫陶瓷的基本特性

时间:2018-01-27 来源:dede58.com浏览次数:179

  碳化硅泡沫陶瓷的基本特性

  化学特点

  抗化合性:碳化硅材料在氧气中反响温度到达1300℃时,在其碳化硅晶体表层现已生成二氧化硅保护层。跟着保护层的加厚,抵制了里边碳化硅持续被化合,这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温到达1900K(1627℃)以上时,二氧化硅保护膜现已被损坏,碳化硅化合效应加剧,然后1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高作业气温。

  耐酸碱性:在耐酸、碱及化合物的功效方面,由于二氧化硅保护膜的功效,碳化硅的抗酸才能十分十分强,抗碱性稍差。

  物理功能

  密度:各样碳化硅晶形的颗粒密度十分附近,通常情况下,应该是3.20 g/mm³,其碳化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/mm³之间,其高矮取决于其粒度号、粒度组成和颗粒形状的巨细。

  硬度: 碳化硅的硬度为:莫氏9.5级。单晶硅的硬度为:莫氏7级。多晶硅的硬度为:莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。

  导热率:碳化硅制品的导热率十分高,热膨胀参数小,抗热震性十分高,是优质的耐火材料。

  电学特点

  恒温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅跟着气温的升高内阻率下降,含杂质碳化硅按照其含杂质不一样,导电功能也不一样。

  其它特点 亲水性好。

  众所周知, SiC是共价键很强的化合物。按照Pauling对电负性的核算, SiC 中Si一C键的离子性仅12%左右。因此,SiC 的硬度高、弹性模量大, 具有优秀的耐磨损功能。值得指出的是, SiC氧化时, 外表构成的二氧化硅层会抑制氧的进一步分散, 因此, 其氧化速率并不高。在电功能方面, SiC具有半导体特性, 少数杂质的引进会使其表现出良好的导电性:此外,SiC 还具有优秀的导热性。

本文标签: